MOSFET 20N60

Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng là 600V.

        Điện áp VGS = +/-20V

        Dòng chịu đựng trung bình là 20A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.

        Công suất: 370W

      Mosfet 20N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247

      Mosfet 20N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 20N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.