MITSUBISHI IGBT Module SR100L-6R Tháo Máy

Công Dụng : MITSUBISHI IGBT Module SR100L_6R _ Công suất max : 600V _ Dòng Max : 600A _ IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F.Wheatley vào năm 1982. _ IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. _ Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ. _ Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p_n_p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n_n như ở MOSFET. _ Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p_n_p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET. _ Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET. _ Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n_p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector. + Linh Kiện Hàn Cắt : _ Đảm bảo hàng độc giá tốt nhất toàn thị trường _ Đảm bảo sảm phẩm giống hình _ Nhận hàng rồi thanh toán _ Được kiểm tra rồi nhận hàng Thông Tin Hỗ Trợ _ Vấn đề kĩ thuật : _ Mua số lượng lớn :(Zalo) _ _ Truy Cập WEBSITE :