Thông số kỹ thuật:
Model: PNP – TO126
Điện áp cực đại: VCBO = 300V
VCEO = 300V
VEBO = 5V
Dòng điện cực đại: IC = 500mA
Công suất tối đa: PC = 20W
Nhiệt độ làm việc: -65oC 150oC
Transistor KSE350 là một transistor công suất đáp ứng điện áp cao, có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn ghép với nhau thành 2 mối nối P-N, thuộc loại transistor thuận PNP. Xét trên phương diện cấu tạo, transistor tương đương với 2 diode. Tuy nhiên, Transistor và Diode là 2 linh kiện điện tử hoàn toàn khác nhau và không thể thay thế cho nhau theo cách mắc tương đương.
Transistor KSE350 được sản xuất theo chuẩn TO126, thứ tự các chân từ trái qua phải: E C B.
Transistor KSE350 có điện áp giới hạn lên tới Uce = 300V, dòng điện giới hạn của Transistor KSE350 Ic = 500mA. Nếu cung cấp đủ điện áp, KSE350 có thể cung cấp công suất lên tới 20W.
Transistor KSE350 có thể hoạt động ở dải nhiệt độ từ -65oC 150oC. Hệ số khuếch đại hFE nằm trong khoảng từ 30 đến 240.
![【Eelhoe】 Vỏ màu đỏ cam điều khiển sạc năng lượng mặt trời 12V 24V để thiết lập quang điện [phát hành sản phẩm mới] [hàng tồn kho Lớn]](https://sg-test-11.slatic.net/p/29b233bcf619cb12293e0bfdec965e91.jpg)
