Mosfet IRF840 TO-220 500V 8A (Kênh N)

Mosfet IRF840 TO-220 500V 8A (Kênh N) THÔNG SỐ KĨ THUẬT - Loại bóng bán dẫn: MOSFET. - Loại kênh điều khiển: Kênh - N - Công suất tiêu thụ tối đa (Pd): 125W. - Điện áp nguồn xả tối đa | Vds |: 500V. - Điện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 20V. - Dòng xả tối đa | Id |: 8A. - Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj): 150°C. - Thời gian trỗi dậy (tr): nS. - Điện dung nguồn xả (Cd): 1500 pF. - Tổng phí cổng (Qg): 63 nC. - Kháng tối đa nguồn xả trên trạng thái (Rds): 0.85 Ohm. - Nhiệt độ hoạt động: -55 đến 150°C. CÔNG DỤNG SẢN PHẨM - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor hiệu ứng trường đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. - Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu. - Mosfet có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên nó được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường và thường thấy trong các bộ nguồn xung, mạch điều khiển điện áp cao.